Transistor Irfp064nIRFP064N HEXFET® Power MO SFET l l l l l Tecnologia de processo avançadaResistência em resistência ultrabaixa Classificação dv/dt dinâmica 175°C Temperatura de operação Comutação rápida Totalmente avaliado em avalanche D VDSS = 55V RDS(on) = 0.008Ω G ID = 110A† S Descrição Os HEXF..